電子信息工程學院開展2021年研究生入學考試科目調(diào)整工作
電子信息工程學院按照學校統(tǒng)一要求近期進行研究生入學考試科目優(yōu)化調(diào)整工作。經(jīng)過學院各教學系、導師代表征求意見，學院黨政會議討論，并經(jīng)過學院學術委員會規(guī)范工作流程征求意見、表決通過，形成學院2021年研究生入學考試科目設置方案，已經(jīng)上報學校研究生院，待學校批準后，統(tǒng)一在學校研究生院網(wǎng)站發(fā)布。入學考試科目調(diào)整情況如下：
初試公共課程：電子學院招生的兩個一級學術性研究生：電子科學與技術一級學科、信息與通信工程一級學科初試公共課程不做調(diào)整，仍是：數(shù)學一、英語一。電子信息0854專業(yè)碩士下面的四個方向：智能信號處理與工程、通信智能系統(tǒng)、射頻電路與微波工程和集成電路工程初試公共課程調(diào)整為：數(shù)學一、英語一。
初試專業(yè)考試科目：電子學院招生的兩個一級學術性研究生：電子科學與技術一級學科、信息與通信工程一級學科、電子信息專業(yè)碩士的四個方向：智能信號處理與工程、通信智能系統(tǒng)、射頻電路與微波工程和集成電路工程初試專業(yè)科目均為：專業(yè)基礎綜合一（一份試卷，內(nèi)容包含信號與系統(tǒng)、數(shù)字電路與邏輯設計、線性電子線路三門本科專業(yè)基礎課程內(nèi)容）。
復試考試科目：
（1）電子科學與技術一級學科下的電路與系統(tǒng)（學碩）、微電子學與固體電子學（學碩）、電磁場與微波技術（學碩）復試考試科目為：專業(yè)基礎綜合二（一份試卷，內(nèi)容包括電路分析基礎、C語言程序設計兩門課程內(nèi)容）。
（2）信息與通信工程一級學科復試科目都為：專業(yè)基礎綜合三（一份試卷，內(nèi)容包括數(shù)字信號處理、C語言程序設計兩門課程內(nèi)容）。
（3）“0854電子信息”專業(yè)碩士下三個方向：智能信號處理與工程（專碩）、通信智能系統(tǒng)（專碩）、射頻電路與微波工程（專碩）復試科目為：專業(yè)基礎綜合三（一份試卷，內(nèi)容包括數(shù)字信號處理、C語言程序設計兩門課程內(nèi)容）。
（4）“0854電子信息”專業(yè)碩士下的“04集成電路工程”復試科目為：專業(yè)基礎綜合四（一份試卷，內(nèi)容包括集成電路原理、半導體物理與器件兩門課程內(nèi)容）。
學院已經(jīng)將該調(diào)整上報研究生院，以研究生院公布在其主頁上的2021研究生招生專業(yè)目錄為最終結(jié)果。
歡迎各位考生踴躍報考我院各學科專業(yè)。
附：各考試專業(yè)科目內(nèi)容范圍說明：
專業(yè)基礎綜合一（信號與系統(tǒng)、數(shù)字電路與邏輯設計、線性電子線路）：《信號與系統(tǒng)》信號與系統(tǒng)基本概念；信號分解與運算；連續(xù)時間系統(tǒng)微分方程建立求解；卷積；傅里葉級數(shù)；傅里葉變換性質(zhì)及應用；傅里葉變換應用于系統(tǒng)分析；拉普拉斯變換及系統(tǒng)的拉普拉斯分析法；信號流圖與狀態(tài)變量分析法。《數(shù)字電路與邏輯設計》：數(shù)字電路基本概念；數(shù)制與編碼；邏輯函數(shù)及其化簡；門電路；組合邏輯電路；集成觸發(fā)器；時序邏輯電路；半導體存儲器；脈沖單元電路。《線性電子線路》：晶體二極管、晶體三極管、場效應管、放大器基礎、放大器中的負反饋、集成運算放大器及其應用電路
專業(yè)基礎綜合二（電路分析基礎、C語言程序設計）：《電路分析基礎》：電路模型、變量及兩類約束；網(wǎng)孔法和節(jié)點法；疊加、網(wǎng)絡函數(shù)及互易定理；等效變換及單口網(wǎng)絡；動態(tài)元件、一階、二階電路；相量模型分析；正弦穩(wěn)態(tài)及三相電路；多頻正弦穩(wěn)態(tài)電路；耦合電感和理想變壓器。《C語言程序設計》：數(shù)據(jù)及運算；流程控制；數(shù)組；指針；函數(shù)；結(jié)構(gòu)體；文件及C語言實際應用。
專業(yè)基礎綜合三（數(shù)字信號處理、C語言程序設計）《數(shù)字信號處理》：離散時間系統(tǒng)、Z變換、DFT、FFT、IIR濾波器設計、FIR濾波器設計。《C語言程序設計》：數(shù)據(jù)及運算；流程控制；數(shù)組；指針；函數(shù)；結(jié)構(gòu)體；文件及C語言實際應用。
專業(yè)基礎綜合四（集成電路原理、半導體物理與器件）：《集成電路原理》：MOS管基本原理；靜態(tài)CMOS電路；動態(tài)CMOS電路；CMOS時序電路；輸入、輸出緩沖器和ESD保護電路；MOS存儲器的分類和單元結(jié)構(gòu)；集成電路的設計流程；集成電路版圖的設計。《半導體物理與器件》：半導體中的電子狀態(tài)、半導體中雜質(zhì)和缺陷能級、半導體中載流子的統(tǒng)計分布、半導體的導電性、非平衡載流子、 pn結(jié)、金屬和半導體的接觸、半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)、半導體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖、雙極型晶體管、化合物半導體場效應晶體管、MOS器件。
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